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中芯國(guó)際難題:先進(jìn)工藝盈利不及預(yù)期

2021/8/3 21:52:27 |  2189次閱讀 |  來(lái)源:網(wǎng)友轉(zhuǎn)載   【已有0條評(píng)論】發(fā)表評(píng)論

726日以來(lái),在白酒、醫(yī)藥連番失守時(shí),以中芯國(guó)際為代表的半導(dǎo)體板塊收復(fù)失地,股價(jià)連日上漲。中芯國(guó)際將代工華為手機(jī)芯片的消息進(jìn)一步助漲士氣,82日,中芯國(guó)際股價(jià)開盤直線拉升,盤中漲超9%,最高達(dá)70.7/股。近一周公司股價(jià)漲幅近40%。

今日中芯國(guó)際股價(jià)降溫。截至發(fā)稿前,中芯國(guó)際報(bào)62.46元,跌幅達(dá)7.27%,總市值4935億。

20207月登陸科創(chuàng)板以來(lái),中芯國(guó)際從受到熱捧到陷入危機(jī),上市不到一月股價(jià)進(jìn)入下降通道,半年時(shí)間近乎腰斬。上市一年之際,中芯國(guó)際再次開啟新一輪漲勢(shì),但距離其上市首日95元高點(diǎn)相差甚遠(yuǎn)。

芯片封鎖的桎梏仍在,作為國(guó)內(nèi)芯片制造領(lǐng)頭羊,中芯國(guó)際將迎來(lái)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的巨大紅利。但跳出“中國(guó)芯”光環(huán),中芯國(guó)際同樣面臨技術(shù)斷代、人才流失、管理失穩(wěn)等客觀問(wèn)題。

二十年技術(shù)迭代涉足高端芯片,先進(jìn)工藝盈利不及預(yù)期

2020716日,中芯國(guó)際登陸科創(chuàng)板。上市首日,中芯國(guó)際開盤暴漲245.96%95/股,市值達(dá)7000億。截至當(dāng)日收盤,中芯國(guó)際漲幅回落至201.97%,報(bào)收82.92/股,總市值5918億元。

此次上市,中芯國(guó)際18天閃電過(guò)會(huì)創(chuàng)科創(chuàng)板最快紀(jì)錄,同時(shí)創(chuàng)下了A股近十年最高募資記錄,最終募集資金總額達(dá)532億元。

支撐中芯國(guó)際的是國(guó)產(chǎn)芯片制造”領(lǐng)頭羊”的身份。中芯國(guó)際主要從事集成電路晶圓代工業(yè)務(wù),是中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠。

晶圓正是制造芯片的基底,中芯國(guó)際的角色是將設(shè)計(jì)好的集成電路圖復(fù)刻至晶圓上,再經(jīng)過(guò)封裝測(cè)試形成芯片產(chǎn)品,最終應(yīng)用于消費(fèi)電子、通訊設(shè)備、工業(yè)等不同終端領(lǐng)域。

2020年中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)收274.7億元,其中晶圓代工業(yè)務(wù)收入239.89億元,占公司總營(yíng)收的87.3%,其余收入來(lái)自于光掩模制造、測(cè)試及其他芯片制造的配套技術(shù)服務(wù)。

對(duì)于中芯國(guó)際而言,技術(shù)無(wú)疑是最重要的護(hù)城河。2000年以來(lái)電子產(chǎn)品趨于多樣性,考驗(yàn)著芯片性能。越精密、集成度越高的芯片,功耗越低、性能越高,因而更小的芯片制程成為晶圓制造企業(yè)的主要升級(jí)方向。

中芯國(guó)際曾歷經(jīng)幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)。2000-2004年,中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了0.35微米~0.13微米制程工藝的技術(shù)認(rèn)證和量產(chǎn)。公司因此在2004年首次實(shí)現(xiàn)盈利,并于當(dāng)年先后在紐交所和港交所上市。

2005-2011年期間,中芯國(guó)際的芯片制程進(jìn)入納米(nm)時(shí)代,分別在2006年、2009年、2011年實(shí)現(xiàn)90nm65/55nm45/40nm的技術(shù)升級(jí)和量產(chǎn),覆蓋各應(yīng)用領(lǐng)域成熟工藝節(jié)點(diǎn)。

2015年,中芯國(guó)際28nm制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),系中國(guó)大陸第一家,公司由此進(jìn)入高端芯片領(lǐng)域。2019年底,中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)14nm FinFET技術(shù)量產(chǎn)。

目前,公司第二代FinFET N+1工藝已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。據(jù)悉,N+1工藝可對(duì)標(biāo)10nm工藝,主要面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域;而此后推出的N+2工藝則可對(duì)標(biāo)7nm工藝性能。

中芯國(guó)際和臺(tái)積電關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)情況

28nm14

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